Hatalmas partnerség a nanotechnológiában

Óriási partnerség a nanotechnológiában: az ASELSAN és a Bilkent Egyetem közös vállalatot alapított nagy teljesítményű nanotranzisztorok gyártására. A cég radar-, nagysebességű vonat-, elektromos jármű- és 4G telefonrendszerekben használt integrált áramköröket fog gyártani.

A Mikro Nano Teknolojileri Sanayi ve Ticaret AŞ (AB-MikroNano) nevű céget az ASELSAN és a Bilkent Egyetem alapította nagy teljesítményű nanotranzisztorok gyártására. A cég először Törökországban fog gallium-nitrát tranzisztorokat és integrált áramköröket gyártani, amelyeket számos területen használnak, mint például radar, nagy sebességű vonatok, elektromos autók és 4G mobiltelefon-rendszerek. Az ASELSAN nyilatkozata szerint a cégalapítási szerződést Hasan Canpolat, az ASELSAN igazgatótanácsának elnöke és a Bilkenti Egyetem rektora, Prof. Dr. Abdullah Atalar aláírta.

A TESZTEK BEFEJEZETTEK

A TÜBİTAK és a Védelmi Iparágak Altitkársága által támogatott gallium-nitrát félvezető anyagon alapuló nanotranzisztor technológiát az ASELSAN és a Bilkent fejlesztette ki országosan. A Bilkent Egyetem Nanotechnológiai Kutatóközpontjában nagy teljesítményű tranzisztorokat gyártottak. A tranzisztorokat, amelyek laboratóriumi vizsgálatait befejezték, sikeresen használták az ASELSAN-nál végzett terepi tesztekben is. A kitűzött teljesítményt meghaladóan legyártott tranzisztorok eredményeinek hatására az ASELSAN és a Bilkent vezetése közös cég létrehozása mellett döntött. Ezt követően megalakult az AB-MikroNano cég.

ÖT ORSZÁG KÖZÖTT MEGNEVEZVE

A 30 millió dolláros befektetéssel létrehozott AB-MikroNano először Törökországban gyárt kereskedelmi célú tranzisztorokat és elektronikus integrált áramköröket. A cég által gyártott nanotechnológiai alapú termékek exportra is kerülnek. Törökország, amely nem tudott elhagyni a fogyasztók ligáját a világon a nanotechnológiai termékek tekintetében, most a gyártók ligája lesz. Eközben Törökország egyike annak az 5 országnak a világon, ahol gallium-nitrát félvezető anyagon alapuló nanotranzisztor-technológiát lehet fejleszteni.

Legyen az első, aki kommentál

Válaszolj

E-mail címed nem kerül nyilvánosságra.


*